时间：2025/5/10 12:20:11
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IPP114N12N3 G 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用了先进的沟槽式技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效率的开关电源、电机驱动以及负载切换等应用。
该芯片设计用于处理高电流和高电压环境下的电力转换，其出色的电气性能和热性能使其成为工业、消费类电子及汽车应用的理想选择。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：114A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：65nC
开关速度：快速
封装类型：D2PAK (TO-263)
IPP114N12N3 G 的主要特点是其非常低的导通电阻 (Rds(on))，仅为 1.5mΩ，这显著降低了传导损耗，从而提高了系统效率。
此外，该器件具有快速开关能力，能够有效减少开关损耗，非常适合高频操作环境。
该芯片还具有优异的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定运行，同时具备较低的输入电容和输出电容，有助于简化驱动电路设计并提高整体性能。
其坚固的构造确保了在恶劣条件下的可靠运行，如短路保护和过温关断等功能进一步增强了器件的安全性。
IPP114N12N3 G 广泛应用于各种高功率密度场合，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动
4. 工业自动化设备中的负载切换
5. 太阳能逆变器和不间断电源（UPS）
6. 电动汽车中的电池管理系统（BMS）
IPP110N12N3 G, IPP100N12N3 G
